杏彩体育官网下载:铜材料的CVD工艺是怎么实现的

　　铜CVD，更具体点说，是利用MOCVD的方法来制取铜薄膜。大多数的人对于铜CVD相对陌生，因为CVD常用来制取介质薄膜，而金属薄膜用PVD制取较常见。那么既然PVD可以制取Cu薄膜，那为什么还要用CVD的方法制取呢？什么场景下会用到铜CVD工艺呢？

　　首先，选择适合的铜前驱体，将晶圆放入CVD反应室中。调整反应室的温度、压力和气体流速等。通过传输系统将铜前驱体（气态）和氢气、氮气或惰性气体等输送到反应室中。在加热的晶圆表面，铜前驱体分解并沉积形成铜薄膜。沉积完成后，还需要对铜薄膜进行退火等后处理。

　　铜前驱体包含铜元素，具有良好的挥发性，并且能够在高温下分解释放出铜原子，铜原子随后在晶圆上沉积形成薄膜。

　　前驱体可以是有机铜化合物或者无机铜盐。有机铜化合物通常是把铜离子和有机配位基相连而组成的。铜有两个电子价态，即+1，+2价，因此铜的前驱体可细分为：

　　更好的填充能力：前驱体气体可以渗透到晶圆上的任意微细结构，因此侧壁和底部不存在物理限制，都能进行反应。这使得CVD特别适合填充高纵深比的细微图案，如在制造DRAM和逻辑器件的互连铜种子层时需要用到铜的CVD工艺。

　　较高的均匀性：由于化学反应是在整个晶圆表面同时进行的，所以CVD可以实现非常均匀的覆盖，且薄膜的纯度和质量更高。

　　更好的附着力：CVD过程中铜是通过化学反应直接在晶圆上生长的，前驱体气体分子在晶圆表面发生了化学键的断裂与化学键的生成，化学键使得薄膜与晶圆之间的结合更加牢固。而PVD主要是通过物理过程将靶材的铜转移到晶圆表面，薄膜与晶圆的结合力会大打折扣。

　　可控性强：通过调整CVD反应的工艺参数工程师可以精确控制薄膜的生长过程，可更方便控制薄膜的性质，如厚度，成分，应力，粗糙度，导电性等。

　　文章出处：【微信号：bdtdsj，微信公众号：中科院半导体所】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

　　((Applied Materials Inc., AMAT)公司日前宣布在Endura Volta

　　有限公司（dongguanyajieshiyajiedianzicailiaoyouxiangongsi）水射流切开机床是一种多用途、功用完善的切开

　　随着半导体技术的飞速发展，单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长，与此同时，半导体制造商们出于节约成本的需要迫

　　与PVD的区别及比较 (一)选材： 化学蒸镀－装饰品、超硬合金、陶瓷 物理蒸镀－高温回火之工、模

　　与PVD的区别及比较 /

　　，因此在半导体行业非常受欢迎。超高真空化学气相沉积涉及相当复杂的设备和极高的温度。为了能在提高效率的同时更好地控制成本，工程师们可以对这一复杂

　　据世界顶尖学术期刊《自然》的新论文显示，厦门大学化学化工学院教授郑南峰、傅钢团队与北京大学教授江颖课题组密切合作，提出了一种

　　）是指不同分压的多种气相状态反应物在一定温度和气压下发生化学反应，生成的固态物质沉积在衬底